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  • 射频功率放大器有哪些用途
    射频功率放大器是一种专用于放大射频信号的设备,它在现代通信、广播、雷达、无线电频谱监测和科学研究等领域中发挥着重要的作用。射频功率放大器能够将输入的低功率射频信号放大为较高功率的信号,以满足各种应用场景对信号传输距离、质量和稳定性的要求。在本文中,我们将详细介绍射频功率放大器的用途及其在各个领域中的重要性。
  • 无线通信的核心技术有哪些?
    无线通信的核心技术包括调制与解调技术、编码与解码技术、非正交多址接入技术等。1、调制与解调技术:调制是将数字信号转换成适合在无线信道上传输的模拟信号的过程,解调则是将接收到的模拟信号转换回数字信号的过程。调制与解调技术包括各种调制方案,如调幅(AM)、调频(FM)、调相(PM)等,以及相应的解调技术。
  • 射频中的数字
    射频中的数字
    在射频设计中,经常会用到关于数字的表示,有最大的数字,比如可见光的频率是 400 000000000000 赫兹 到750 000000000000赫兹;也会遇到很多很小的数字,比如可见光的波长只有0.0000004m-0.00000075m。 如何更有效的表示这些超级大的数字和超小的数字,科学家们发明了很多种的计数方法,我们今天一起来看一下。
  • GKYWG-52激光物位计
    GKYWG-52激光物位计也叫激光料位计,由河北光科测控设备有限公司自行研发的一种大量程、高准确度的防爆型物位测量产品。具有物位测量、平均温度测量、开关量报警输出、可连接罐旁显示仪等功能,产品结构合理,准确度高、维护率低。该产品已经广泛应用于石油、化工、电力、冶金、食品、制药、造纸、水处理等行业的物位测量与液位过程控制。
  • ARRA射频直流模块
    ARRA射频直流模块是紧凑型同轴器件,可避免直流电源和数字信号流动性,并且以最少的损失传递射频/微波信号。ARRA射频直流模块是绝对无源装置,无需电源开关。使用内部导电介质、外部导电介质或内部/外部导电介质与串联电容的搭配来防止直流电和数字信号。
  • AB-X3A1XX-X-FREQ极低相位噪声压控晶振
    NEL Frequency Controls的AB-X3A1XX-X-FREQ极低相位噪声压控晶体振荡器(VCXO)选择具有单端正弦波形输出超高频率。AB-X3A1XX-X-FREQ极低相位噪声压控晶体振荡器根据低噪音模似谐波电流超频,具备极低相位噪声和震动。AB-X3A1XX-X-FREQ极低相位噪声压控晶体振荡器器件封装在某个根据FR-4的9x14mmSMD封装形式中。
  • 详解同轴线的射频参数
    详解同轴线的射频参数
    在《为什么是50欧姆》文章中,我们引入了同轴传输线这个例子,通州传输线是射频设计和测试中应用最为广泛一种射频传输线,同轴线到底怎么计算?今天我们详细介绍一下。
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    11/09 11:50
  • ALN0252-10-5307N内联低噪声射频放大器WENTEQ
    低噪声放大器是种特殊类型的功率放大器,其应用非常广泛。低噪声放大器在射频和微波领域内颇受欢迎,能够有效降低信号的噪音,同时把信号放大到所需要的水平。ALN0252-10-5307N内联低噪音射频放大器在众多无线通信和射频应用范围中具有重要的作用,提供功率放大电路和噪声最小化,从而提升接收性能、扩展通讯范围和提供重要数据通信。
  • AB-A3DBXXX系列压控晶体振荡器
    NEL Frequency Controls的AB-A3DBXXX系列压控晶体振荡器(VCXO)提供超高频率LVDS互补性输出。能够禁止输出从而实现测试设计和组合数个时钟。AB-A3DBXXX系列压控晶体振荡器根据低噪音模拟谐波倍频,提供较低的噪声系数和抖动。AB-A3DBXXX系列压控晶体振荡器封装在某个根据FR4的9x14mmSMD封装中。
  • IK-38.500 Q波段射频隔离器MECA
    MECA的IK-38.500射频隔离器主要是由磁石和铁氧体磁芯材料制成双端口无源器件,用来保护其它射频器件免遭过多信号衰减。MECA提供选用2.92mm母头连接器IK-38.500隔离器,均值额定功率为2瓦,工作频段为37.000-40.000GHz,而且随意适用,IK-38.500提供适合IP67标准化的隔离器。
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    11/02 07:02
  • iPhone 15不配宝马,苹果刚刚承认了
    iPhone 15不配宝马,苹果刚刚承认了
    开着宝马吹着小风,掏出新iPhone往无线充电板一放,您猜怎么着?手机NFC芯片坏了。事情一出,引发很多车主担忧,宝马出来回应,在解决。
  • 国产射频功率放大器技术指标有哪些内容
    射频功率放大器是一种广泛应用于通信、雷达、卫星等领域的高频电子设备,其作用是将微弱的电磁信号放大到足以传输或检测的强度。射频功率放大器技术指标是衡量其性能优劣的重要标准,其主要内容包括以下几个方面。
  • 为什么我们要用频谱分析仪测量频谱?
    在无线通信领域,大家都会关心带外辐射和杂散辐射,例如在蜂窝通信系统中,我们必须要检查载波的谐波成分,以防对其他有着相同工作频率与谐波通信的系统产生干扰,同样工程师和技术人员呀必须要去确保载波上的信息是否失真,还有频谱监测也是一个非常重要的应用,比如政府管理机构,对各种无线业务分配不同的频段,如光波电视无线通信、移动通信、警务及应急通信等业务,保证不同业务工作,在自己被分配的信道带宽内,是非常重要的,再有就是EMI测试也是电磁干扰测试,它是为了避免设备辐射产生的干扰,从而对其他设备或系统造成影响。
  • 新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程
    新思科技(Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码: SNPS)近日宣布,携手是德科技(Keysight)、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺(4纳米射频FinFET工艺)的全新参考流程。该参考流程基于新思科技的定制设计系列产品,为追求更高预测精度和生产率的开放式射频设计环境的客户提供完整的射频设计解决方案。它为开发者提供了经过验证的是德科技的射频集成电路(RFIC)设计和交互式电磁(EM)分析工具,以及Ansys电磁建模和签核电源完整性解决方案等一系列业界领先的解决方案。
  • 贸泽电子开售Laird Connectivity用于全球射频应用的RM126x系列LoRaWAN模块
    贸泽电子开售Laird Connectivity用于全球射频应用的RM126x系列LoRaWAN模块
    贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起供货Laird Connectivity的RM126x系列LoRaWAN™模块。RM126x模块基于Silicon Labs EFR32 SoC和Semtech的SX126x收发器,模块/天线组合经认证能以托管或无托管模式在全球使用,为工业自动化和控制、智能农业、智能城市、公用事业监控、交通运输、物流、供应链、医疗监控和零售等领域具有挑战性的LoRaWAN实现提供低功耗、远距离的全球性解决方案。
  • AM003013LN-P1宽带低噪声放大器AMCOM
    AMCOM的AM003013LN-P1是款宽带低噪声放大器模块。为通用型应用需求设计。AM003013LN-P1的频率范围为40MHz至3000MHz,相位噪声为1.3dB,小信号增益值为17.5dB。AM003013LN-P1使用5V/60mA电源直接操作,通过使用SMA连接器实现输入输出。AM003013LN-P1体型精巧,宽度为1.25英寸(长)x1.25英寸(宽)x0.563英寸(高)。
  • Telink-泰凌微电子 B91开发板试用——开箱测试
    Telink-泰凌微电子 B91开发板试用——开箱测试
    Telink-泰凌微电子 B91开发板介绍:B91通用开发套件是Telink最新一代TLSR9系列芯片的通用开发平台。该套件的核心是一块B91开发板,其上搭载了一颗TLSR9系列的旗舰型号芯片,全面覆盖包括TLSR921x和TLSR951x在内的该系列所有芯片的开发。结合赠送的烧录和调试工具及相关配件,B91通用开发套件可用于实现各类物联网应用的原型开发。
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    10/28 10:08
  • e络盟向全球供货Raltron频率管理设备
    e络盟向全球供货Raltron频率管理设备
    安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟与全球频率管理解决方案提供商Raltron合作,在全球分销其全系列频率管理设备。双方建立合作伙伴关系后,e络盟将为客户提供业内最广泛的频率管理器件系列,包括晶体谐振器、时钟振荡器、压控晶体振荡器(VCXO)、温度补偿晶振(TCXO)、恒温晶振(OCXO)、压控振荡器(VCO)、SAW和LTCC滤波器、陶瓷谐振器和各种物联网兼容的天线、射频电缆组件和射频连接器。
  • ALN0250-40-3216低噪声射频放大器WENTEQ
    在微波电路设计上,存在很多现象是需要调整信号的功率同时防止添加其他信号衰退。例如,当混频器应该以超过基带芯片接收机器件适用的特殊输入功率来实现时,或者增加天线获取的比较弱的信号的信号强度。在某些情况下,低噪声放大器主要用于提供边界信号的信号增益的信号调整设备,并且对信号的相位噪声或失帧降至最低。
  • CHA1008-99F低噪声放大器UMS
    UMS的CHA1008-99F是款网络带宽、稳定平衡、四级单片低噪声放大器。CHA1008-99F是为毫米波通信成像应用需求设计,适合于商业数字无线通信和无线网络。CHA1008-99F电路选用pHEMT工艺技术,栅极尺寸为0.10µm,根据基材上的通孔、空气桥和电子束栅极光刻。

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